جمع مقارنة
GT10J312(Q)
رقم الجزء：
GT10J312(Q)
تصنيف المنتجات：
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
صانع：
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف：
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
التعبئة：
Tube
بنفايات الدولة：
Yes
نقود：
USD
PDF:
رفق إضافة إلى طلب قائمة
جرد 1600
الرجاء ارسال استفسار وسنقوم بالرد فورا
استفسار سريع
مواصفة
  • حالة القطعة
    Obsolete
  • نوع التثبيت
    Through Hole
  • الطاقة - الحد الأقصى
    60 W
  • درجة حرارة التشغيل
    150°C (TJ)
  • الحزمة / العلبة
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • المورد الجهاز الحزمة
    -
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى)
    600 V
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى)
    10 A
  • 输入类型为阿拉伯文
    Standard
  • وقت الاسترداد العكسي (trr)
    200 ns
  • نوع IGBT
    -
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 10A
  • شرط الاختبار
    300V, 10A, 100Ohm, 15V
  • تيار المجمع النبضي (Icm)
    20 A
  • طاقة التبديل
    -
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية
    400ns/400ns
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

الكمية: {{ val.quantity }}

قدم

هو فارغ