جمع مقارنة
GT20N135SRA,S1E
رقم الجزء：
GT20N135SRA,S1E
تصنيف المنتجات：
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
صانع：
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف：
IGBT 1350V 40A TO-247
التعبئة：
Tube
بنفايات الدولة：
Yes
نقود：
USD
شراء على الفور إضافة إلى عربة التسوق
جرد 1609
الحد الأدنى : 1
الكمية
سعر الوحدة
الأسعار
1
3.77
3.77
10
2.84
28.4
30
2.57
77.1
120
2.33
279.6
270
2.23
602.1
510
2.16
1101.6
1020
2.1
2142
2520
2.04
5140.8
مواصفة
  • حالة القطعة
    Active
  • نوع التثبيت
    Through Hole
  • الطاقة - الحد الأقصى
    312 W
  • درجة حرارة التشغيل
    175°C (TJ)
  • الحزمة / العلبة
    TO-247-3
  • المورد الجهاز الحزمة
    TO-247
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى)
    1350 V
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى)
    40 A
  • 输入类型为阿拉伯文
    Standard
  • نوع IGBT
    -
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • شرط الاختبار
    300V, 40A, 39Ohm, 15V
  • تيار المجمع النبضي (Icm)
    80 A
  • طاقة التبديل
    -, 700µJ (off)
  • شحنة البوابة
    185 nC
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية
    -
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

الكمية: {{ val.quantity }}

قدم

هو فارغ