جمع مقارنة
GT30J121(Q)
رقم الجزء：
GT30J121(Q)
تصنيف المنتجات：
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
صانع：
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف：
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
التعبئة：
Tube
بنفايات الدولة：
Yes
نقود：
USD
PDF:
شراء على الفور إضافة إلى عربة التسوق
جرد 1715
الحد الأدنى : 1
الكمية
سعر الوحدة
الأسعار
1
4.24
4.24
10
2.79
27.9
100
1.97
197
500
1.62
810
1000
1.53
1530
مواصفة
  • حالة القطعة
    Active
  • نوع التثبيت
    Through Hole
  • الطاقة - الحد الأقصى
    170 W
  • الحزمة / العلبة
    TO-3P-3, SC-65-3
  • المورد الجهاز الحزمة
    TO-3P(N)
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى)
    600 V
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى)
    30 A
  • 输入类型为阿拉伯文
    Standard
  • نوع IGBT
    -
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic
    2.45V @ 15V, 30A
  • شرط الاختبار
    300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • تيار المجمع النبضي (Icm)
    60 A
  • طاقة التبديل
    1mJ (on), 800µJ (off)
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية
    90ns/300ns
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

الكمية: {{ val.quantity }}

قدم

هو فارغ