جمع مقارنة
GT50JR22(STA1,E,S)
رقم الجزء：
GT50JR22(STA1,E,S)
تصنيف المنتجات：
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
صانع：
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف：
IGBT 600V 50A TO-3P
التعبئة：
Tube
بنفايات الدولة：
Yes
نقود：
USD
PDF:
شراء على الفور إضافة إلى عربة التسوق
جرد 1623
الحد الأدنى : 1
الكمية
سعر الوحدة
الأسعار
1
6.54
6.54
25
3.84
96
100
3.2
320
500
2.73
1365
مواصفة
  • حالة القطعة
    Active
  • نوع التثبيت
    Through Hole
  • الطاقة - الحد الأقصى
    230 W
  • درجة حرارة التشغيل
    175°C (TJ)
  • الحزمة / العلبة
    TO-3P-3, SC-65-3
  • المورد الجهاز الحزمة
    TO-3P(N)
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى)
    600 V
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى)
    50 A
  • 输入类型为阿拉伯文
    Standard
  • نوع IGBT
    -
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 50A
  • شرط الاختبار
    -
  • تيار المجمع النبضي (Icm)
    100 A
  • طاقة التبديل
    -
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية
    -
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

الكمية: {{ val.quantity }}

قدم

هو فارغ