جمع مقارنة
GT60N321(Q)
رقم الجزء：
GT60N321(Q)
تصنيف المنتجات：
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
صانع：
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف：
IGBT 1000V 60A TO-3P
التعبئة：
Tube
بنفايات الدولة：
Yes
نقود：
USD
رفق إضافة إلى طلب قائمة
جرد 1600
الرجاء ارسال استفسار وسنقوم بالرد فورا
استفسار سريع
مواصفة
  • حالة القطعة
    Obsolete
  • نوع التثبيت
    Through Hole
  • الطاقة - الحد الأقصى
    170 W
  • درجة حرارة التشغيل
    150°C (TJ)
  • الحزمة / العلبة
    TO-3PL
  • المورد الجهاز الحزمة
    TO-3P(LH)
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى)
    1000 V
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى)
    60 A
  • 输入类型为阿拉伯文
    Standard
  • وقت الاسترداد العكسي (trr)
    2.5 µs
  • نوع IGBT
    -
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • شرط الاختبار
    -
  • تيار المجمع النبضي (Icm)
    120 A
  • طاقة التبديل
    -
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية
    330ns/700ns
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

الكمية: {{ val.quantity }}

قدم

هو فارغ