جمع مقارنة
RGT80TS65DGC11
رقم الجزء：
RGT80TS65DGC11
تصنيف المنتجات：
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
صانع：
ROHM Semiconductor
وصف：
IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
التعبئة：
Tube
بنفايات الدولة：
Yes
نقود：
USD
PDF:
شراء على الفور إضافة إلى عربة التسوق
جرد 1605
الحد الأدنى : 1
الكمية
سعر الوحدة
الأسعار
1
5.51
5.51
30
3.1
93
120
2.57
308.4
510
2.19
1116.9
1020
2.09
2131.8
مواصفة
  • حالة القطعة
    Not For New Designs
  • نوع التثبيت
    Through Hole
  • الطاقة - الحد الأقصى
    234 W
  • درجة حرارة التشغيل
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • الحزمة / العلبة
    TO-247-3
  • المورد الجهاز الحزمة
    TO-247N
  • الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى)
    650 V
  • تيار المجمع (Ic) (الأقصى)
    70 A
  • 输入类型为阿拉伯文
    Standard
  • وقت الاسترداد العكسي (trr)
    58 ns
  • نوع IGBT
    Trench Field Stop
  • Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • شرط الاختبار
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • تيار المجمع النبضي (Icm)
    120 A
  • طاقة التبديل
    -
  • شحنة البوابة
    79 nC
  • Td (تشغيل/إيقاف) @ 25 درجة مئوية
    34ns/119ns
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

الكمية: {{ val.quantity }}

قدم

هو فارغ