Specification
- حالة القطعة Active
- نوع التثبيت Surface Mount
- نوع الذاكرة Volatile
- الصف Automotive
- التأهيل AEC-Q100
- وقت الوصول 3.5 ns
- درجة حرارة التشغيل -40°C ~ 105°C (TC)
- تنسيق الذاكرة DRAM
- حجم الذاكرة 4Gbit
- تنظيم الذاكرة 128M x 32
- تردد الساعة 1.6 GHz
- الجهد - التغذية 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- الحزمة / العلبة 200-TFBGA
- المورد الجهاز الحزمة 200-TFBGA (10x14.5)
- تكنولوجيا SDRAM - Mobile LPDDR4X
- وقت دورة الكتابة - كلمة، صفحة 18ns
- واجهة الذاكرة LVSTL