Colección Comparación
GB35XF120K
Número de pieza：
GB35XF120K
Clasificación de productos：
Productos Semiconductores Discretos
Fabricante：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Descripción：
IGBT MODULE 1200V 50A 284W
Embalaje：
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 1600
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Consulta rápida
Especificaciones
  • Estado de la Pieza
    Obsolete
  • Tipo de Montaje
    Chassis Mount
  • Potencia - Máx
    284 W
  • Temperatura de Operación
    150°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa
    ECONO2
  • Proveedor Dispositivo Paquete
    -
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx)
    1200 V
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
    50 A
  • 输入
    Standard
  • Configuración
    Three Phase Inverter
  • Corriente - Corte del Colector (Máx.)
    100 µA
  • Tipo de IGBT
    NPT
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic
    3V @ 15V, 50A
  • Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce
    3.475 nF @ 30 V
  • Termistor NTC
    No
  • +86-755-82564498

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