Colección Comparación
GT20N135SRA,S1E
Número de pieza：
GT20N135SRA,S1E
Clasificación de productos：
Productos Semiconductores Discretos
Fabricante：
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción：
IGBT 1350V 40A TO-247
Embalaje：
Tube
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
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Inventario 1609
Mínimo : 1
Cantidad
Precio unitario
Precio
1
3.77
3.77
10
2.84
28.4
30
2.57
77.1
120
2.33
279.6
270
2.23
602.1
510
2.16
1101.6
1020
2.1
2142
2520
2.04
5140.8
Especificaciones
  • Estado de la Pieza
    Active
  • Tipo de Montaje
    Through Hole
  • Potencia - Máx
    312 W
  • Temperatura de Operación
    175°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa
    TO-247-3
  • Proveedor Dispositivo Paquete
    TO-247
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx)
    1350 V
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
    40 A
  • 输入类型
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • Condición de Prueba
    300V, 40A, 39Ohm, 15V
  • Corriente - Colector Pulsada (Icm)
    80 A
  • Energía de Conmutación
    -, 700µJ (off)
  • Carga de Puerta
    185 nC
  • Td (encendido/apagado) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

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