Colección Comparación
GT30J121(Q)
Número de pieza：
GT30J121(Q)
Clasificación de productos：
Productos Semiconductores Discretos
Fabricante：
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción：
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
Embalaje：
Tube
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 1715
Mínimo : 1
Cantidad
Precio unitario
Precio
1
4.24
4.24
10
2.79
27.9
100
1.97
197
500
1.62
810
1000
1.53
1530
Especificaciones
  • Estado de la Pieza
    Active
  • Tipo de Montaje
    Through Hole
  • Potencia - Máx
    170 W
  • Paquete / Carcasa
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Proveedor Dispositivo Paquete
    TO-3P(N)
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx)
    600 V
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
    30 A
  • 输入类型
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic
    2.45V @ 15V, 30A
  • Condición de Prueba
    300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • Corriente - Colector Pulsada (Icm)
    60 A
  • Energía de Conmutación
    1mJ (on), 800µJ (off)
  • Td (encendido/apagado) @ 25°C
    90ns/300ns
  • +86-755-82564498

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