Colección Comparación
GT30J341,Q
Número de pieza：
GT30J341,Q
Clasificación de productos：
Productos Semiconductores Discretos
Fabricante：
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción：
IGBT 600V 59A TO-3P
Embalaje：
Tray
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 1600
Mínimo : 100
Cantidad
Precio unitario
Precio
100
1.98
198
Especificaciones
  • Estado de la Pieza
    Last Time Buy
  • Tipo de Montaje
    Through Hole
  • Potencia - Máx
    230 W
  • Temperatura de Operación
    175°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Proveedor Dispositivo Paquete
    TO-3P(N)
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx)
    600 V
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
    59 A
  • 输入类型
    Standard
  • Tiempo de Recuperación Inversa (trr)
    50 ns
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 30A
  • Condición de Prueba
    300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • Corriente - Colector Pulsada (Icm)
    120 A
  • Energía de Conmutación
    800µJ (on), 600µJ (off)
  • Td (encendido/apagado) @ 25°C
    80ns/280ns
  • +86-755-82564498

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