Colección Comparación
GT30N135SRA,S1E
Número de pieza：
GT30N135SRA,S1E
Clasificación de productos：
Productos Semiconductores Discretos
Fabricante：
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción：
IGBT 1350V 60A TO-247
Embalaje：
Tube
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 1633
Mínimo : 1
Cantidad
Precio unitario
Precio
1
4.27
4.27
10
3.24
32.4
30
2.93
87.9
120
2.66
319.2
270
2.55
688.5
510
2.47
1259.7
1020
2.41
2458.2
2520
2.34
5896.8
Especificaciones
  • Estado de la Pieza
    Active
  • Tipo de Montaje
    Through Hole
  • Potencia - Máx
    348 W
  • Temperatura de Operación
    175°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa
    TO-247-3
  • Proveedor Dispositivo Paquete
    TO-247
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx)
    1350 V
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
    60 A
  • 输入类型
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic
    2.6V @ 15V, 60A
  • Condición de Prueba
    300V, 60A, 39Ohm, 15V
  • Corriente - Colector Pulsada (Icm)
    120 A
  • Energía de Conmutación
    -, 1.3mJ (off)
  • Carga de Puerta
    270 nC
  • Td (encendido/apagado) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Cantidad: {{ val.quantity }}

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