Colección Comparación
GT50JR22(STA1,E,S)
Número de pieza：
GT50JR22(STA1,E,S)
Clasificación de productos：
Productos Semiconductores Discretos
Fabricante：
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción：
IGBT 600V 50A TO-3P
Embalaje：
Tube
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 1623
Mínimo : 1
Cantidad
Precio unitario
Precio
1
6.54
6.54
25
3.84
96
100
3.2
320
500
2.73
1365
Especificaciones
  • Estado de la Pieza
    Active
  • Tipo de Montaje
    Through Hole
  • Potencia - Máx
    230 W
  • Temperatura de Operación
    175°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Proveedor Dispositivo Paquete
    TO-3P(N)
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx)
    600 V
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
    50 A
  • 输入类型
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 50A
  • Condición de Prueba
    -
  • Corriente - Colector Pulsada (Icm)
    100 A
  • Energía de Conmutación
    -
  • Td (encendido/apagado) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

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