Colección Comparación
GT50N322A
Número de pieza：
GT50N322A
Clasificación de productos：
Productos Semiconductores Discretos
Fabricante：
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción：
IGBT 1000V 50A TO-3P
Embalaje：
Tray
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 1609
Mínimo : 1
Cantidad
Precio unitario
Precio
1
5.54
5.54
50
2.91
145.5
100
2.66
266
500
2.21
1105
1000
2.19
2190
Especificaciones
  • Estado de la Pieza
    Active
  • Tipo de Montaje
    Through Hole
  • Potencia - Máx
    156 W
  • Temperatura de Operación
    150°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Proveedor Dispositivo Paquete
    TO-3P(N)
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx)
    1000 V
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
    50 A
  • 输入类型
    Standard
  • Tiempo de Recuperación Inversa (trr)
    800 ns
  • Tipo de IGBT
    -
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • Condición de Prueba
    -
  • Corriente - Colector Pulsada (Icm)
    120 A
  • Energía de Conmutación
    -
  • Td (encendido/apagado) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

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