Colección Comparación
GT60N321(Q)
Número de pieza：
GT60N321(Q)
Clasificación de productos：
Productos Semiconductores Discretos
Fabricante：
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción：
IGBT 1000V 60A TO-3P
Embalaje：
Tube
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
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Inventario 1600
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Consulta rápida
Especificaciones
  • Estado de la Pieza
    Obsolete
  • Tipo de Montaje
    Through Hole
  • Potencia - Máx
    170 W
  • Temperatura de Operación
    150°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa
    TO-3PL
  • Proveedor Dispositivo Paquete
    TO-3P(LH)
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx)
    1000 V
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
    60 A
  • 输入类型
    Standard
  • Tiempo de Recuperación Inversa (trr)
    2.5 µs
  • Tipo de IGBT
    -
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • Condición de Prueba
    -
  • Corriente - Colector Pulsada (Icm)
    120 A
  • Energía de Conmutación
    -
  • Td (encendido/apagado) @ 25°C
    330ns/700ns
  • +86-755-82564498

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