Colección Comparación
HGT1S15N120C3S
Número de pieza：
HGT1S15N120C3S
Clasificación de productos：
Productos Semiconductores Discretos
Fabricante：
Harris Corporation
Descripción：
IGBT 1200V 35A TO-263AB
Embalaje：
Bulk
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 2295
Mínimo : 80
Cantidad
Precio unitario
Precio
80
3.8
304
Especificaciones
  • Estado de la Pieza
    Active
  • Tipo de Montaje
    Surface Mount
  • Potencia - Máx
    164 W
  • Temperatura de Operación
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa
    TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Proveedor Dispositivo Paquete
    TO-263AB
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx)
    1200 V
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
    35 A
  • 输入类型
    Standard
  • Tipo de IGBT
    -
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic
    3.5V @ 15V, 15A
  • Condición de Prueba
    -
  • Corriente - Colector Pulsada (Icm)
    120 A
  • Energía de Conmutación
    -
  • Carga de Puerta
    100 nC
  • Td (encendido/apagado) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

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