Colección Comparación
NGW75T65H3DFQ
Número de pieza：
NGW75T65H3DFQ
Clasificación de productos：
Productos Semiconductores Discretos
Fabricante：
Nexperia USA Inc.
Descripción：
IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Embalaje：
Tube
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
PDF:
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Inventario 2005
Mínimo : 1
Cantidad
Precio unitario
Precio
1
6.89
6.89
10
4.65
46.5
450
2.87
1291.5
900
2.81
2529
Especificaciones
  • Estado de la Pieza
    Active
  • Grado
    -
  • Calificación
    -
  • Tipo de Montaje
    Through Hole
  • Potencia - Máx
    600 W
  • Temperatura de Operación
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa
    TO-247-3
  • Proveedor Dispositivo Paquete
    TO-247-3L
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx)
    650 V
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
    80 A
  • 输入类型
    Standard
  • Tiempo de Recuperación Inversa (trr)
    165 ns
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 75A
  • Condición de Prueba
    400V, 75A, 10Ohm, 15V
  • Corriente - Colector Pulsada (Icm)
    300 A
  • Energía de Conmutación
    2.9mJ (on), 1.1mJ (off)
  • Carga de Puerta
    160 nC
  • Td (encendido/apagado) @ 25°C
    29ns/170ns
  • +86-755-82564498

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