Colección Comparación
RGTH60TS65DGC11
Número de pieza：
RGTH60TS65DGC11
Clasificación de productos：
Productos Semiconductores Discretos
Fabricante：
ROHM Semiconductor
Descripción：
IGBT TRENCH FS 650V 58A TO-247N
Embalaje：
Tube
Estado del RoHS：
Yes
Moneda：
USD
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Inventario 2026
Mínimo : 1
Cantidad
Precio unitario
Precio
1
4.71
4.71
30
2.62
78.6
120
2.16
259.2
510
1.82
928.2
1020
1.7
1734
2010
1.69
3396.9
Especificaciones
  • Estado de la Pieza
    Not For New Designs
  • Tipo de Montaje
    Through Hole
  • Potencia - Máx
    194 W
  • Temperatura de Operación
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Paquete / Carcasa
    TO-247-3
  • Proveedor Dispositivo Paquete
    TO-247N
  • Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx)
    650 V
  • Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
    58 A
  • 输入类型
    Standard
  • Tiempo de Recuperación Inversa (trr)
    58 ns
  • Tipo de IGBT
    Trench Field Stop
  • Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 30A
  • Condición de Prueba
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • Corriente - Colector Pulsada (Icm)
    120 A
  • Energía de Conmutación
    -
  • Carga de Puerta
    58 nC
  • Td (encendido/apagado) @ 25°C
    27ns/105ns
  • +86-755-82564498

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Presentación

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