BY25D10ASMIG(R)
Número de pieza:
BY25D10ASMIG(R)
Clasificación de productos:
Memoria
Fabricante:
BYTe Semiconductor
Descripción:
1 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Embalaje:
Tape & Reel (TR)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Temperatura de Operación -40°C ~ 85°C (TA)
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Grado -
- Calificación -
- Tipo de Memoria Non-Volatile
- Tamaño de la Memoria 1Mbit
- Organización de la Memoria 128K x 8
- Voltaje - Alimentación 2.7V ~ 3.6V
- Formato de Memoria FLASH
- Tecnología FLASH - NOR
- Tiempo de Acceso 7 ns
- Paquete / Carcasa 8-UFDFN Exposed Pad
- Frecuencia de Reloj 108 MHz
- Interfaz de Memoria SPI - Dual I/O
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-USON (2x3)
- Tiempo de Ciclo de Escritura - Palabra, Página 2.4ms