BY25FQ64ESWIG(R)
Número de pieza:
BY25FQ64ESWIG(R)
Clasificación de productos:
Memoria
Fabricante:
BYTe Semiconductor
Descripción:
64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Embalaje:
Cut Tape (CT)
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Temperatura de Operación -40°C ~ 85°C (TA)
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Grado -
- Calificación -
- Tipo de Memoria Non-Volatile
- Voltaje - Alimentación 2.7V ~ 3.6V
- Formato de Memoria FLASH
- Tamaño de la Memoria 64Mbit
- Paquete / Carcasa 8-WDFN Exposed Pad
- Tecnología FLASH - NOR
- Frecuencia de Reloj 166 MHz
- Tiempo de Acceso 5 ns
- Organización de la Memoria 8M x 8
- Proveedor Dispositivo Paquete 8-WSON (5x6)
- Interfaz de Memoria SPI - Quad I/O, QPI, DTR
- Tiempo de Ciclo de Escritura - Palabra, Página 300µs, 2.4ms