BY25D10ASMIG(R)

BY25D10ASMIG(R)

Numéro de pièce : BY25D10ASMIG(R)
Catégorie de produit : Mémoire
Fabricant : BYTe Semiconductor
Description : 1 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
Emballage : Tape & Reel (TR)
Statut ROHS : Oui
Monnaie : USD
PDF : Documents

Spécifications

  • Statut de la pièce Active
  • Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
  • Type de montage Surface Mount
  • Grade -
  • Qualification -
  • Type de mémoire Non-Volatile
  • Taille de la mémoire 1Mbit
  • Organisation de la mémoire 128K x 8
  • Tension d'alimentation 2.7V ~ 3.6V
  • Format de mémoire FLASH
  • Technologie FLASH - NOR
  • Temps d'accès 7 ns
  • Boîtier 8-UFDFN Exposed Pad
  • Fréquence d'horloge 108 MHz
  • Interface de mémoire SPI - Dual I/O
  • Fournisseur Dispositif Emballage 8-USON (2x3)
  • Temps d'Écriture - Mot, Page 2.4ms