Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Type de mémoire Volatile
- Interface de mémoire Parallel
- Format de mémoire DRAM
- Température de fonctionnement -40°C ~ 95°C (TC)
- Taille de la mémoire 8Gbit
- Organisation de la mémoire 512M x 16
- Fréquence d'horloge 2.133 GHz
- Boîtier 200-VFBGA
- Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4X
- Temps d'Écriture - Mot, Page 18ns
- Fournisseur Dispositif Emballage 200-FBGA (10x15)
- Tension d'alimentation 1.17V ~ 1.06V, 1.95V ~ 1.7V