K4B4G1646E-BYK000
Numéro de pièce :
K4B4G1646E-BYK000
Catégorie de produit :
Mémoire
Fabricant :
Samsung Semiconductor, Inc.
Description :
DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Surface Mount
- Programmable Not Verified
- Type de mémoire Volatile
- Interface de mémoire Parallel
- Boîtier 96-TFBGA
- Format de mémoire DRAM
- Taille de la mémoire 4Gbit
- Organisation de la mémoire 256M x 16
- Fréquence d'horloge 800 MHz
- Température de fonctionnement 0°C ~ 95°C
- Tension d'alimentation 1.35V