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GT10J312(Q)
部品番号：
GT10J312(Q)
製品分類：
個別半導体製品
製造元：
Toshiba Semiconductor and Storage
説明：
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
ほうそう：
Tube
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
PDF:
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ストック 1600
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仕様
  • 部品ステータス
    Obsolete
  • 実装タイプ
    Through Hole
  • パワー - 最大
    60 W
  • 動作温度
    150°C (TJ)
  • パッケージ / ケース
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    -
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧
    600 V
  • コレクタ電流 (Ic) (最大)
    10 A
  • 输入类型
    Standard
  • 逆回復時間（trr）
    200 ns
  • IGBTタイプ
    -
  • Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic
    2.7V @ 15V, 10A
  • 試験条件
    300V, 10A, 100Ohm, 15V
  • 電流 - コレクタパルス (Icm)
    20 A
  • スイッチングエネルギー
    -
  • Td (オン/オフ) @ 25°C
    400ns/400ns
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

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