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GT20N135SRA,S1E
部品番号：
GT20N135SRA,S1E
製品分類：
個別半導体製品
製造元：
Toshiba Semiconductor and Storage
説明：
IGBT 1350V 40A TO-247
ほうそう：
Tube
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
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ストック 1609
最小 : 1
数量
単価
価格
1
3.77
3.77
10
2.84
28.4
30
2.57
77.1
120
2.33
279.6
270
2.23
602.1
510
2.16
1101.6
1020
2.1
2142
2520
2.04
5140.8
仕様
  • 部品ステータス
    Active
  • 実装タイプ
    Through Hole
  • パワー - 最大
    312 W
  • 動作温度
    175°C (TJ)
  • パッケージ / ケース
    TO-247-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-247
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧
    1350 V
  • コレクタ電流 (Ic) (最大)
    40 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • 試験条件
    300V, 40A, 39Ohm, 15V
  • 電流 - コレクタパルス (Icm)
    80 A
  • スイッチングエネルギー
    -, 700µJ (off)
  • ゲートチャージ
    185 nC
  • Td (オン/オフ) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

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