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GT30J121(Q)
部品番号：
GT30J121(Q)
製品分類：
個別半導体製品
製造元：
Toshiba Semiconductor and Storage
説明：
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
ほうそう：
Tube
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
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ストック 1715
最小 : 1
数量
単価
価格
1
4.24
4.24
10
2.79
27.9
100
1.97
197
500
1.62
810
1000
1.53
1530
仕様
  • 部品ステータス
    Active
  • 実装タイプ
    Through Hole
  • パワー - 最大
    170 W
  • パッケージ / ケース
    TO-3P-3, SC-65-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-3P(N)
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧
    600 V
  • コレクタ電流 (Ic) (最大)
    30 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic
    2.45V @ 15V, 30A
  • 試験条件
    300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • 電流 - コレクタパルス (Icm)
    60 A
  • スイッチングエネルギー
    1mJ (on), 800µJ (off)
  • Td (オン/オフ) @ 25°C
    90ns/300ns
  • +86-755-82564498

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