コレクション 比較
GT30J341,Q
部品番号：
GT30J341,Q
製品分類：
個別半導体製品
製造元：
Toshiba Semiconductor and Storage
説明：
IGBT 600V 59A TO-3P
ほうそう：
Tray
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
PDF:
今すぐ購入 カートに追加
ストック 1600
最小 : 100
数量
単価
価格
100
1.98
198
仕様
  • 部品ステータス
    Last Time Buy
  • 実装タイプ
    Through Hole
  • パワー - 最大
    230 W
  • 動作温度
    175°C (TJ)
  • パッケージ / ケース
    TO-3P-3, SC-65-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-3P(N)
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧
    600 V
  • コレクタ電流 (Ic) (最大)
    59 A
  • 输入类型
    Standard
  • 逆回復時間（trr）
    50 ns
  • Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic
    2V @ 15V, 30A
  • 試験条件
    300V, 30A, 24Ohm, 15V
  • 電流 - コレクタパルス (Icm)
    120 A
  • スイッチングエネルギー
    800µJ (on), 600µJ (off)
  • Td (オン/オフ) @ 25°C
    80ns/280ns
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

送信

空です