コレクション 比較
GT30N135SRA,S1E
部品番号：
GT30N135SRA,S1E
製品分類：
個別半導体製品
製造元：
Toshiba Semiconductor and Storage
説明：
IGBT 1350V 60A TO-247
ほうそう：
Tube
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
PDF:
今すぐ購入 カートに追加
ストック 1633
最小 : 1
数量
単価
価格
1
4.27
4.27
10
3.24
32.4
30
2.93
87.9
120
2.66
319.2
270
2.55
688.5
510
2.47
1259.7
1020
2.41
2458.2
2520
2.34
5896.8
仕様
  • 部品ステータス
    Active
  • 実装タイプ
    Through Hole
  • パワー - 最大
    348 W
  • 動作温度
    175°C (TJ)
  • パッケージ / ケース
    TO-247-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-247
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧
    1350 V
  • コレクタ電流 (Ic) (最大)
    60 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic
    2.6V @ 15V, 60A
  • 試験条件
    300V, 60A, 39Ohm, 15V
  • 電流 - コレクタパルス (Icm)
    120 A
  • スイッチングエネルギー
    -, 1.3mJ (off)
  • ゲートチャージ
    270 nC
  • Td (オン/オフ) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

送信

空です