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GT50JR22(STA1,E,S)
部品番号：
GT50JR22(STA1,E,S)
製品分類：
個別半導体製品
製造元：
Toshiba Semiconductor and Storage
説明：
IGBT 600V 50A TO-3P
ほうそう：
Tube
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
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ストック 1623
最小 : 1
数量
単価
価格
1
6.54
6.54
25
3.84
96
100
3.2
320
500
2.73
1365
仕様
  • 部品ステータス
    Active
  • 実装タイプ
    Through Hole
  • パワー - 最大
    230 W
  • 動作温度
    175°C (TJ)
  • パッケージ / ケース
    TO-3P-3, SC-65-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-3P(N)
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧
    600 V
  • コレクタ電流 (Ic) (最大)
    50 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBTタイプ
    -
  • Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic
    2.2V @ 15V, 50A
  • 試験条件
    -
  • 電流 - コレクタパルス (Icm)
    100 A
  • スイッチングエネルギー
    -
  • Td (オン/オフ) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

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