コレクション 比較
GT50N322A
部品番号：
GT50N322A
製品分類：
個別半導体製品
製造元：
Toshiba Semiconductor and Storage
説明：
IGBT 1000V 50A TO-3P
ほうそう：
Tray
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
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ストック 1609
最小 : 1
数量
単価
価格
1
5.54
5.54
50
2.91
145.5
100
2.66
266
500
2.21
1105
1000
2.19
2190
仕様
  • 部品ステータス
    Active
  • 実装タイプ
    Through Hole
  • パワー - 最大
    156 W
  • 動作温度
    150°C (TJ)
  • パッケージ / ケース
    TO-3P-3, SC-65-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-3P(N)
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧
    1000 V
  • コレクタ電流 (Ic) (最大)
    50 A
  • 输入类型
    Standard
  • 逆回復時間（trr）
    800 ns
  • IGBTタイプ
    -
  • Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • 試験条件
    -
  • 電流 - コレクタパルス (Icm)
    120 A
  • スイッチングエネルギー
    -
  • Td (オン/オフ) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

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