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GT60N321(Q)
部品番号：
GT60N321(Q)
製品分類：
個別半導体製品
製造元：
Toshiba Semiconductor and Storage
説明：
IGBT 1000V 60A TO-3P
ほうそう：
Tube
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
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ストック 1600
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仕様
  • 部品ステータス
    Obsolete
  • 実装タイプ
    Through Hole
  • パワー - 最大
    170 W
  • 動作温度
    150°C (TJ)
  • パッケージ / ケース
    TO-3PL
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-3P(LH)
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧
    1000 V
  • コレクタ電流 (Ic) (最大)
    60 A
  • 输入类型
    Standard
  • 逆回復時間（trr）
    2.5 µs
  • IGBTタイプ
    -
  • Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • 試験条件
    -
  • 電流 - コレクタパルス (Icm)
    120 A
  • スイッチングエネルギー
    -
  • Td (オン/オフ) @ 25°C
    330ns/700ns
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

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