コレクション 比較
HGT1S2N120CN
部品番号：
HGT1S2N120CN
製品分類：
個別半導体製品
製造元：
Fairchild Semiconductor
説明：
IGBT NPT 1200V 13A TO-262
ほうそう：
Tube
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
PDF:
今すぐ購入 カートに追加
ストック 89288
最小 : 157
数量
単価
価格
157
1.91
299.87
仕様
  • 部品ステータス
    Obsolete
  • 実装タイプ
    Through Hole
  • パワー - 最大
    104 W
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • パッケージ / ケース
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-262
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧
    1200 V
  • コレクタ電流 (Ic) (最大)
    13 A
  • 输入类型
    Standard
  • IGBTタイプ
    NPT
  • Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic
    2.4V @ 15V, 2.6A
  • 試験条件
    960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
  • 電流 - コレクタパルス (Icm)
    20 A
  • スイッチングエネルギー
    96µJ (on), 355µJ (off)
  • ゲートチャージ
    30 nC
  • Td (オン/オフ) @ 25°C
    25ns/205ns
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

送信

空です