コレクション 比較
RGT16NS65DGTL
部品番号：
RGT16NS65DGTL
製品分類：
個別半導体製品
製造元：
ROHM Semiconductor
説明：
IGBT TRENCH FS 650V 16A LPDS
ほうそう：
Cut Tape (CT)
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
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ストック 2566
最小 : 1
数量
単価
価格
1
2.54
2.54
10
1.64
16.4
100
1.12
112
500
0.9
450
仕様
  • 部品ステータス
    Active
  • 実装タイプ
    Surface Mount
  • パワー - 最大
    94 W
  • 動作温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • パッケージ / ケース
    TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    LPDS
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧
    650 V
  • コレクタ電流 (Ic) (最大)
    16 A
  • 输入类型
    Standard
  • 逆回復時間（trr）
    42 ns
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic
    2.1V @ 15V, 8A
  • 試験条件
    400V, 8A, 10Ohm, 15V
  • 電流 - コレクタパルス (Icm)
    24 A
  • スイッチングエネルギー
    -
  • ゲートチャージ
    21 nC
  • Td (オン/オフ) @ 25°C
    13ns/33ns
  • +86-755-82564498

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