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RGT80TS65DGC11
部品番号：
RGT80TS65DGC11
製品分類：
個別半導体製品
製造元：
ROHM Semiconductor
説明：
IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247N
ほうそう：
Tube
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
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ストック 1605
最小 : 1
数量
単価
価格
1
5.51
5.51
30
3.1
93
120
2.57
308.4
510
2.19
1116.9
1020
2.09
2131.8
仕様
  • 部品ステータス
    Not For New Designs
  • 実装タイプ
    Through Hole
  • パワー - 最大
    234 W
  • 動作温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • パッケージ / ケース
    TO-247-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-247N
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧
    650 V
  • コレクタ電流 (Ic) (最大)
    70 A
  • 输入类型
    Standard
  • 逆回復時間（trr）
    58 ns
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic
    2.1V @ 15V, 40A
  • 試験条件
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 電流 - コレクタパルス (Icm)
    120 A
  • スイッチングエネルギー
    -
  • ゲートチャージ
    79 nC
  • Td (オン/オフ) @ 25°C
    34ns/119ns
  • +86-755-82564498

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