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RGT8NS65DGTL
部品番号：
RGT8NS65DGTL
製品分類：
個別半導体製品
製造元：
ROHM Semiconductor
説明：
IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
ほうそう：
Cut Tape (CT)
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
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ストック 1600
最小 : 1
数量
単価
価格
1
2.03
2.03
10
1.29
12.9
100
0.87
87
500
0.7
350
仕様
  • 部品ステータス
    Active
  • 実装タイプ
    Surface Mount
  • パワー - 最大
    65 W
  • 動作温度
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • パッケージ / ケース
    TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    LPDS
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧
    650 V
  • コレクタ電流 (Ic) (最大)
    8 A
  • 输入类型
    Standard
  • 逆回復時間（trr）
    40 ns
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic
    2.1V @ 15V, 4A
  • 試験条件
    400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • 電流 - コレクタパルス (Icm)
    12 A
  • スイッチングエネルギー
    -
  • ゲートチャージ
    13.5 nC
  • Td (オン/オフ) @ 25°C
    17ns/69ns
  • +86-755-82564498

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