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WG50N65DHJQ
部品番号：
WG50N65DHJQ
製品分類：
個別半導体製品
製造元：
WeEn Semiconductors
説明：
IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3
ほうそう：
Bulk
ROHS状態：
Yes
通貨＃ツウカ＃：
USD
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ストック 1600
最小 : 960
数量
単価
価格
960
1.65
1584
仕様
  • 部品ステータス
    Active
  • 実装タイプ
    Through Hole
  • パワー - 最大
    278 W
  • 動作温度
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • パッケージ / ケース
    TO-247-3
  • サプライヤーデバイスパッケージ
    TO-247-3
  • 電圧 - コレクタ・エミッタ間最大ブレークダウン電圧
    650 V
  • コレクタ電流 (Ic) (最大)
    91 A
  • 输入类型
    Standard
  • 逆回復時間（trr）
    105 ns
  • IGBTタイプ
    Trench Field Stop
  • Vce（オン）（最大）@ Vge、Ic
    2V @ 15V, 50A
  • 試験条件
    400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • 電流 - コレクタパルス (Icm)
    200 A
  • スイッチングエネルギー
    1.7mJ (on), 600µJ (off)
  • ゲートチャージ
    160 nC
  • Td (オン/オフ) @ 25°C
    66ns/163ns
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

数量: {{ val.quantity }}

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