仕様
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Surface Mount
- メモリタイプ Volatile
- グレード Automotive
- 認定 AEC-Q100
- アクセス時間 3.5 ns
- 動作温度 -40°C ~ 105°C (TC)
- メモリフォーマット DRAM
- メモリサイズ 4Gbit
- メモリ構成 128M x 32
- クロック周波数 1.6 GHz
- 電源電圧 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- パッケージ / ケース 200-TFBGA
- サプライヤーデバイスパッケージ 200-TFBGA (10x14.5)
- テクノロジー SDRAM - Mobile LPDDR4X
- ライトサイクルタイム - ワード、ページ 18ns
- メモリインターフェース LVSTL