K4B4G1646E-BYK000
部品番号：
K4B4G1646E-BYK000
製品分類：
メモリ
製造業者：
Samsung Semiconductor, Inc.
説明：
DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL
パッケージ：
Tray
ROHS状態：
はい
通貨：
USD
仕様
- 部品ステータス Active
- 実装タイプ Surface Mount
- ディギキー・プログラマブル Not Verified
- メモリタイプ Volatile
- メモリインターフェース Parallel
- パッケージ / ケース 96-TFBGA
- メモリフォーマット DRAM
- メモリサイズ 4Gbit
- メモリ構成 256M x 16
- クロック周波数 800 MHz
- 動作温度 0°C ~ 95°C
- 電源電圧 1.35V