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GT10J312(Q)
부품 번호：
GT10J312(Q)
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Toshiba Semiconductor and Storage
설명：
IGBT 600V 10A 60W TO220SM
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
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재고 1600
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사양
  • 부품 상태
    Obsolete
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 파워 - 최대
    60 W
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • 공급업체 장치 패키지
    -
  • 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대)
    600 V
  • 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)
    10 A
  • 输入类型为韩文
    Standard
  • 역복구 시간 (trr)
    200 ns
  • IGBT 유형
    -
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 10A
  • 테스트 조건
    300V, 10A, 100Ohm, 15V
  • 전류 - 컬렉터 펄스 (Icm)
    20 A
  • 스위칭 에너지
    -
  • Td (on/off) @ 25°C
    400ns/400ns
  • +86-755-82564498

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