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GT20N135SRA,S1E
부품 번호：
GT20N135SRA,S1E
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Toshiba Semiconductor and Storage
설명：
IGBT 1350V 40A TO-247
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
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재고 1609
최소 : 1
수량
단가
가격
1
3.77
3.77
10
2.84
28.4
30
2.57
77.1
120
2.33
279.6
270
2.23
602.1
510
2.16
1101.6
1020
2.1
2142
2520
2.04
5140.8
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 파워 - 최대
    312 W
  • 작동 온도
    175°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-247
  • 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대)
    1350 V
  • 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)
    40 A
  • 输入类型为韩文
    Standard
  • IGBT 유형
    -
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • 테스트 조건
    300V, 40A, 39Ohm, 15V
  • 전류 - 컬렉터 펄스 (Icm)
    80 A
  • 스위칭 에너지
    -, 700µJ (off)
  • 게이트 충전
    185 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

수량: {{ val.quantity }}

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