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GT30N135SRA,S1E
부품 번호：
GT30N135SRA,S1E
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Toshiba Semiconductor and Storage
설명：
IGBT 1350V 60A TO-247
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
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재고 1633
최소 : 1
수량
단가
가격
1
4.27
4.27
10
3.24
32.4
30
2.93
87.9
120
2.66
319.2
270
2.55
688.5
510
2.47
1259.7
1020
2.41
2458.2
2520
2.34
5896.8
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 파워 - 최대
    348 W
  • 작동 온도
    175°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-247-3
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-247
  • 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대)
    1350 V
  • 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)
    60 A
  • 输入类型为韩文
    Standard
  • IGBT 유형
    -
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.6V @ 15V, 60A
  • 테스트 조건
    300V, 60A, 39Ohm, 15V
  • 전류 - 컬렉터 펄스 (Icm)
    120 A
  • 스위칭 에너지
    -, 1.3mJ (off)
  • 게이트 충전
    270 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

수량: {{ val.quantity }}

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