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GT50J121(Q)
부품 번호：
GT50J121(Q)
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Toshiba Semiconductor and Storage
설명：
IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
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재고 1600
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사양
  • 부품 상태
    Obsolete
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 파워 - 최대
    240 W
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-3PL
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-3P(LH)
  • 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대)
    600 V
  • 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)
    50 A
  • 输入类型为韩文
    Standard
  • IGBT 유형
    -
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.45V @ 15V, 50A
  • 테스트 조건
    300V, 50A, 13Ohm, 15V
  • 전류 - 컬렉터 펄스 (Icm)
    100 A
  • 스위칭 에너지
    1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
  • Td (on/off) @ 25°C
    90ns/300ns
  • +86-755-82564498

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