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GT50JR22(STA1,E,S)
부품 번호：
GT50JR22(STA1,E,S)
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Toshiba Semiconductor and Storage
설명：
IGBT 600V 50A TO-3P
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
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재고 1623
최소 : 1
수량
단가
가격
1
6.54
6.54
25
3.84
96
100
3.2
320
500
2.73
1365
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 파워 - 최대
    230 W
  • 작동 온도
    175°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-3P(N)
  • 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대)
    600 V
  • 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)
    50 A
  • 输入类型为韩文
    Standard
  • IGBT 유형
    -
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 50A
  • 테스트 조건
    -
  • 전류 - 컬렉터 펄스 (Icm)
    100 A
  • 스위칭 에너지
    -
  • Td (on/off) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

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