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GT50N322A
부품 번호：
GT50N322A
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Toshiba Semiconductor and Storage
설명：
IGBT 1000V 50A TO-3P
포장：
Tray
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
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재고 1609
최소 : 1
수량
단가
가격
1
5.54
5.54
50
2.91
145.5
100
2.66
266
500
2.21
1105
1000
2.19
2190
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 파워 - 최대
    156 W
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-3P(N)
  • 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대)
    1000 V
  • 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)
    50 A
  • 输入类型为韩文
    Standard
  • 역복구 시간 (trr)
    800 ns
  • IGBT 유형
    -
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.8V @ 15V, 60A
  • 테스트 조건
    -
  • 전류 - 컬렉터 펄스 (Icm)
    120 A
  • 스위칭 에너지
    -
  • Td (on/off) @ 25°C
    -
  • +86-755-82564498

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