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HGT1S12N60B3D
부품 번호：
HGT1S12N60B3D
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Harris Corporation
설명：
IGBT 600V 27A I2PAK
포장：
Bulk
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
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재고 2000
최소 : 181
수량
단가
가격
181
1.66
300.46
사양
  • 부품 상태
    Active
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 파워 - 최대
    104 W
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • 공급업체 장치 패키지
    I2PAK (TO-262)
  • 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대)
    600 V
  • 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)
    27 A
  • 输入类型为韩文
    Standard
  • IGBT 유형
    -
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 12A
  • 테스트 조건
    480V, 12A, 25Ohm, 15V
  • 전류 - 컬렉터 펄스 (Icm)
    110 A
  • 스위칭 에너지
    304µJ (on), 250µJ (off)
  • 게이트 충전
    78 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    26ns/150ns
  • +86-755-82564498

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