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HGT1S2N120CN
부품 번호：
HGT1S2N120CN
제품 분류：
개별 반도체 제품
제조업체：
Fairchild Semiconductor
설명：
IGBT NPT 1200V 13A TO-262
포장：
Tube
ROHS 상태：
Yes
화폐：
USD
PDF:
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재고 89288
최소 : 157
수량
단가
가격
157
1.91
299.87
사양
  • 부품 상태
    Obsolete
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 파워 - 최대
    104 W
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 패키지 / 케이스
    TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-262
  • 전압 - 컬렉터 이미터 항복 (최대)
    1200 V
  • 전류 - 컬렉터 (Ic) (최대)
    13 A
  • 输入类型为韩文
    Standard
  • IGBT 유형
    NPT
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 2.6A
  • 테스트 조건
    960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
  • 전류 - 컬렉터 펄스 (Icm)
    20 A
  • 스위칭 에너지
    96µJ (on), 355µJ (off)
  • 게이트 충전
    30 nC
  • Td (on/off) @ 25°C
    25ns/205ns
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

수량: {{ val.quantity }}

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