규격
- 부품 상태 Active
- 장착 유형 Surface Mount
- 메모리 유형 Volatile
- 메모리 인터페이스 Parallel
- 메모리 포맷 DRAM
- 작동 온도 -40°C ~ 95°C (TC)
- 메모리 크기 8Gbit
- 메모리 구성 256M x 32
- 클럭 주파수 2.133 GHz
- 패키지 / 케이스 200-VFBGA
- 기술 SDRAM - Mobile LPDDR4X
- Write Cycle Time - Word, Page 18ns
- 공급업체 장치 패키지 200-FBGA (10x15)
- 전압 - 공급 1.17V ~ 1.06V, 1.95V ~ 1.7V