규격
- 부품 상태 Active
- 장착 유형 Surface Mount
- 메모리 유형 Volatile
- 등급 Automotive
- 자격 인증 AEC-Q100
- 액세스 타임 3.5 ns
- 작동 온도 -40°C ~ 105°C (TC)
- 메모리 포맷 DRAM
- 메모리 크기 4Gbit
- 메모리 구성 128M x 32
- 클럭 주파수 1.6 GHz
- 전압 - 공급 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- 패키지 / 케이스 200-TFBGA
- 공급업체 장치 패키지 200-TFBGA (10x14.5)
- 기술 SDRAM - Mobile LPDDR4X
- Write Cycle Time - Word, Page 18ns
- 메모리 인터페이스 LVSTL