Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип памяти Volatile
- Интерфейс памяти Parallel
- Формат памяти DRAM
- Рабочая температура -40°C ~ 95°C (TC)
- Объем памяти 8Gbit
- Организация памяти 512M x 16
- Тактовая частота 2.133 GHz
- Корпус 200-VFBGA
- Технология SDRAM - Mobile LPDDR4X
- Время цикла записи - Слово, Страница 18ns
- Поставщик Устройство Корпус 200-FBGA (10x15)
- Напряжение питания 1.17V ~ 1.06V, 1.95V ~ 1.7V