Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип памяти Volatile
- Класс Automotive
- Квалификация AEC-Q100
- Время доступа 3.5 ns
- Рабочая температура -40°C ~ 105°C (TC)
- Формат памяти DRAM
- Объем памяти 4Gbit
- Организация памяти 128M x 32
- Тактовая частота 1.6 GHz
- Напряжение питания 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
- Корпус 200-TFBGA
- Поставщик Устройство Корпус 200-TFBGA (10x14.5)
- Технология SDRAM - Mobile LPDDR4X
- Время цикла записи - Слово, Страница 18ns
- Интерфейс памяти LVSTL